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半導體超純水的水質要求

發布日期: 2022-12-01
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  半導體超純水在半導體生產中主要用于清洗硅片。少量水用于配制藥劑、硅片氧化的蒸汽源、某些設備的冷卻水、電鍍溶液的配制。產品的質量與產量密切相關。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良,重金屬(Au、Ag、Cu等)會降低PN結的耐壓力,III族元素 (B、Al、Ga等)會使N型半導體特性惡化,V族素(P、As、Sb等)會使P型半導體特性惡化。細菌高溫炭化水中的磷(約為灰分的20%~50%)會使p型硅片局部變為N型硅片,導致器件性能下降。水中的顆粒,包括細菌,如果附著在硅片表面,會導致短路或性能惡化。可見,超純水在半導體行業的必要性。
 
  隨著半導體工業的不斷發展,對清潔水的電導率、離子含量、TOC、do和顆粒物的要求越來越嚴格。由于超純水在許多指標上對半導體的要求很高,因此半導體行業的超純水與其他行業的用水要求不同。半導體行業對超純水有嚴格的水質要求。目前,半導體所用的超純水需要達到的水質標準為:我國電子工業部電子級水質技術標準(18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級標準),我國電子工業部高純水水質試行標準,國內外大規模集成電路水質標準等。
 
  那么,如何產出高質量的半導體超純水?
 
  建議采用“兩級RO+EDI+精混床除鹽水處理工藝”這類的超純水設備,可保證處理后的水電阻和電電阻達到18MΩ.cm以上。除了采用以上工藝外,結構設計也需要相對緊湊,這樣一來占地面積小可為企業節省大量建設空間。這種半導體超純水設備出廠前都是需進行壓力測驗的,所以出現故障概率小。還可以配備反滲透預脫鹽技術,再次從根本上確保了水處理設備的出水質量。
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